单选题 在晶体凝固过程中,存在温度梯度的是( )。

A、 上部和边缘部分
B、 中部和边缘部分
C、 上部和底部
D、 底部和边缘部分
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相关试题

单选题 对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与( )。

A、非平衡载流子浓度成正比
B、平衡载流子浓度成正比
C、非平衡载流子浓度成反比
D、平衡载流子浓度成反比

单选题 在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在( )以上。

A、90%
B、92%
C、95%
D、97%

单选题 单晶硅与多晶硅的根本区别是( )。

A、纯度
B、原子排列方式
C、导电能力
D、原子结构

单选题 在本征半导体Si和Ge 中掺入少量的五价原子(如P、As)时,就形成n型半导体,这种掺入后多余的电子的能级在禁带中紧靠( )处。

A、空带
B、满带
C、价带
D、导带

单选题 通常用( )来提纯工业级Si生产多晶硅。

A、Cl₂
B、SiHCl₃
C、HCl
D、SiCl₄

单选题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率( )。

A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变

单选题 当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率( )。

A、上升
B、下降
C、不变
D、不确定

单选题 硅片制备主要工艺流程是( )

A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包