在本征半导体Si和Ge 中掺入少量的五价原子（如P、As）时，就形成n型 - 考试宝

单选题在本征半导体Si和Ge 中掺入少量的五价原子（如P、As）时，就形成n型半导体，这种掺入后多余的电子的能级在禁带中紧靠（）处。

A、空带

B、满带

C、价带

D、导带

下载APP答题

由4l***rj提供分享举报纠错

相关试题

单选题在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（）以上。

A、90%

B、92%

C、95%

D、97%

单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

A、非平衡载流子浓度成正比

B、平衡载流子浓度成正比

C、非平衡载流子浓度成反比

D、平衡载流子浓度成反比

单选题硅片制备主要工艺流程是（）

A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

C、单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包

D、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

单选题单晶硅与多晶硅的根本区别是（）。

A、纯度

B、原子排列方式

C、导电能力

D、原子结构

单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率( )。

A、越高

B、不确定

C、越低

D、不变

单选题固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。

A、300

B、400

C、500

D、600

单选题当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）。

A、上升

B、下降

C、不变

D、不确定

单选题通常用（）来提纯工业级Si生产多晶硅。

A、Cl₂

B、SiHCl₃

C、HCl

D、SiCl₄