单选题 下列电路中,不可以实现有源逆变的有( )。

A、 三相半波可控整流电路
B、 三相桥式全控整流电路
C、 单相桥式可控整流电路
D、 单相全波可控整流电路外接续流二极管
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相关试题

单选题 IGBT是一个复合型的器件,它是( )

A、GTR驱动的MOSFET
B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET驱动的GTO

单选题 直流斩波电路是一种( )变换电路。

A、AC/AC
B、DC/AC
C、DC/DC
D、AC/DC

单选题 已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( )

A、减小至维持电流以下
B、减小至擎住电流以下
C、减小至门极触发电流以下
D、减小至5A以下

单选题 恒流驱动电路中加速电容C的作用是( )

A、加快功率晶体管的开通
B、延缓功率晶体管的关断
C、加深功率晶体管的饱和深度
D、保护器件

单选题 可实现有源逆变的电路为( )。

A、三相半波可控整流电路
B、三相半控桥整流桥电路
C、单相全控桥接续流二极管电路
D、单相半控桥整流电路

单选题 对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( )

A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度
B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作
C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度
D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度

单选题 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )

A、du/dt抑制电路
B、抗饱和电路
C、di/dt抑制电路
D、吸收电路

单选题 电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是( )

A、30°~150
B、0°~120°
C、15°~125°
D、0°~150°