单选题 放大电路如图所示。已知β=50,$V_{BE}$忽略不计,$R_C=4K\Omega$,$R_E=4K\Omega$,则电路的静态电流$I_C$约为( )mA,电压放大倍数数值约输入电阻约为( )Ω,输出电阻为( )KΩ。

A、 2
B、 863
C、 116
D、 4
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相关试题

单选题 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。

A、少子
B、多子
C、杂质离子
D、空穴

单选题 N型半导体是在纯净的本征半导体中加入( )。

A、自由电子
B、空穴
C、硼元素
D、磷元素

单选题 硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为( )。

A、0.6V;0.6V
B、0.6V;0.1V
C、0.1V;0.6V
D、0.1V;0.1V

单选题 当PN节外加反向电压时,扩散电流( )漂移电流,耗尽层( )。

A、大于
B、小于
C、等于
D、变宽
E、变窄
F、不变

单选题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度与( )有很大关系。

A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体管缺陷

单选题 PN结加正向电压时导通,此时空间电荷区将( )。

A、变窄
B、基本不变
C、变宽
D、先变窄,后变宽

单选题 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。

A、左移,下移
B、右移,上移
C、左移,上移
D、右移,下移

单选题 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正向导通状态。

A、0
B、死区电压
C、反向击穿电压
D、正向压降