单选题 电力场效应管MOSFET适用于在（ ）条件下工作。
单选题 晶闸管的三个引出电极分别是（ ）。
A、阳极、阴极、门极
B、阳极、阴极、栅极
C、栅极、漏极、源极
D、发射极、基极、集电极
单选题 可关断晶闸管GTO是一种（ ）结构的半导体器件。
A、四层三端
B、五层三端
C、三层二端
D、三层三端
单选题 下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（ ）。
A、<选项为图片>
B、<选项为图片>
C、<选项为图片>
D、<选项为图片>
单选题 下列电力电子器件中，（ ）的驱动功率小，驱动电路简单。
A、普通晶闸管
B、可关断晶闸管
C、电力晶体管
D、功率场效应晶体管
单选题 逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ）。
A、晶闸管
B、单结晶体管
C、电力晶体管
D、绝缘栅双极型晶体管
单选题 下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（ ）。
A、<选项为图片>
B、<选项为图片>
C、<选项为图片>
D、<选项为图片>
单选题 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
2026-01-14
共35道
