判断题 一般而言,禁带宽度越小的半导体,其直接复合的概率越大。( )

A、 正确
B、 错误
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相关试题

单选题 目前研究和制备多晶硅薄膜大多采用( )。

A、真空蒸发
B、液相外延
C、化学气相沉积技术
D、电化学沉积

单选题 关于“光注入”,以下说法错误的是:( )

A、非平衡电子和空穴成对产生
B、受到入射能量的激发,价带电子跃迁到导带,产生非平衡载流子
C、只要用光照射半导体材料,就可以产生非平衡载流子
D、入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

单选题 短程和长程都有序的晶体,即为( )。

A、单晶体
B、多晶体
C、非晶体
D、都有可能

单选题 下列属于化合物半导体的是( )

A、a-As(灰砷)
B、a-Sb(灰锑)
C、GaAs
D、SiO₂

单选题 量子态中,电子量子化的能量称为

A、能量
B、能态
C、能带
D、能级

单选题 硅晶体属于( )晶体结构 。

A、六方体
B、立方体
C、金刚石
D、闪锌矿

单选题 半导体材料在掺杂浓度一定的情况下,载流子浓度主要由____决定( )

A、温度
B、费米能级
C、压力
D、电压

单选题 非晶硅____晶体硅的吸收光子系数( )

A、大于
B、小于
C、等于
D、二者差距不大