单选题 载电流为$$I$$,磁距为$$\vec{P}_m$$的线圈,置于磁感应强度为$$\vec{B}$$的均匀磁场中,若$$\vec{P}_m$$与$$\vec{B}$$方向相同,则通过线圈的磁通$$\phi$$与线圈所受磁力距M的大小为( )。
A、$$\Phi = IBP_m$$ , $$M = 0$$
B、$$\Phi = \frac{BP_m}{I}$$ , $$M = 0$$
C、$$\Phi = IBP_m$$ , $$M = BP_m$$
D、$$\Phi = \frac{BP_m}{I}$$ , $$M = BP_m$$
单选题 载电流为I,磁距为P<sub>m</sub>的线圈,置于磁感应强度为B的均匀磁场中,若P<sub>m</sub>与B方向相同,则通过线圈的磁通φ与线圈所受磁力距M的大小为( )。
A、Φ = IBP<sub>m</sub>, M = 0
B、Φ = $$\frac{BP_{m}}{I}$$, M = 0
C、Φ = IBP<sub>m</sub>, M = BP<sub>m</sub>
D、Φ = $$\frac{BP_{m}}{I}$$, M = BP<sub>m</sub>
单选题 一无限长直圆柱体,半径为R,沿轴向均匀流有电流,如图所示.设圆柱体内(r<R )的磁感应强度大小为B<sub>1</sub>, 圆柱体外( r>R )感应强度大小为B<sub>2</sub>,则有( )
A、B<sub>1</sub>、B<sub>2</sub>均与 r 成正比成正比
B、B<sub>1</sub>、B<sub>2</sub>均与 r 成反比
C、B<sub>1</sub>与 r 成反比,B<sub>2</sub>与 r 成正比
D、B<sub>1</sub>与 r 成正比,B<sub>2</sub>与 r 成反比
单选题 长直导线通以电流I,设弯折成图所示形状,则圆心O点的磁感应强度为( ) (缺图)
A、$$\frac{\mu_0 I}{2\pi R}+\frac{\mu_0 I}{4R}$$
B、$$\frac{\mu_0 I}{4\pi R}+\frac{\mu_0 I}{8R}$$
C、$$\frac{\mu_0 I}{2\pi R}+\frac{\mu_0 I}{8R}$$
D、$$\frac{\mu_0 I}{4\pi R}+\frac{\mu_0 I}{4R}$$
单选题 在圆形电流的平面内取一同心圆形环路,由于环路内无电流穿过,所以$$\oint_L \vec{B}\cdot d\vec{l}=0$$,由此可知( )
A、圆形环路上各点的磁场强度为零
B、圆形环路上各点的磁场强度方向垂直于环路平面
C、圆形环路上各点的磁场强度方向指向圆心
D、圆形环路上各点的磁场强度方向为该点的切线方向
单选题 有一个圆形回路1及一个正方形回路2,圆的直径和正方形回路的边长相等,二者中通有大小相等的电流,它们在各自中心产生的磁感应强度的大小之比$$\frac{B_{1}}{B_{2}}$$为( ) (缺图)
A、0.90
B、1.00
C、1.11
D、1.22
单选题 对于安培环路定律$$\oint_L \vec{B}\cdot d\vec{l}=\mu_0\sum I$$,在下面说法中正确的是( )
A、$$\vec{B}$$只是穿过闭合环路的电流所激发,与环路外的电流无关
B、$$I$$是环路内、外电流的代数和
C、安培环路定律只在具有高度对称的磁场中才成立
D、只有磁场分布具有高度对称性时,才能用它直接计算磁场强度的大小
单选题 边长为$$L$$的一个正方形线圈中通有电流$$I$$,则线圈中心的磁感应强度的大小将( ) (缺图)
A、与$$I$$成正比
B、与$$I$$成反比
C、与$$I$$无关
D、与$$I^3$$成正比