单选题 在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级____。

单选题 非平衡电子的扩散电流密度的方向是（ ）

单选题 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是____，____。

单选题 在非平衡态时，一般情况下，____载流子的准费米能级偏离费米能级很大。

单选题 假设一个硅P+N结，当外加正偏压时，其扩散电流（ ）漂移电流，外加反向偏压时，其扩散电流（ ）漂移电流。

单选题 假设一个硅材料的PN+单边突变结，若施加一正向偏压，所形成的正向导通电流主要由（ ）区的（ ）向（ ）区的（ ）形成的电流主导。

单选题 半导体中载流子迁移率的大小主要决定于（ ）

单选题 对应于n型半导体，电子为 ____。