单选题 干氧氧化工艺中,使用氯化氢气体的作用是()。

A、 净化反应室
B、 捕获移动的金属离子
C、 用于氧化反应中
D、 稳定温度
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单选题 集成电路制造最核心的工艺是()

A、Metallization
B、Photo-lithography
C、Implant
D、Etch

单选题 集成电路即是将各种电子器件直接制备到半导体晶片上,并用导线连接,以实现相应功能的系统。下列哪种元件是不能做在集成电路中的?

A、电容
B、电池
C、电阻
D、晶体管

单选题 下列哪一项不属于集成电路制造的平面工艺()。

A、掺杂
B、薄膜淀积
C、光刻与刻蚀
D、单晶硅锭制作

单选题 超净间是半导体制造的基本环境保障,超净间按每立方英尺大于0.5μm的微粒数目来分级。下列超净间级数中清洁程度最高的是?

A、10000级
B、1000级
C、100级
D、10级

单选题 首先在衬底上涂胶并光刻,然后再制备金属薄膜,在有光刻胶的地方,金属薄膜形成在光刻胶上,而没有光刻胶的地方,金属薄膜就直接形成在衬底上,当使用溶剂去除衬底上的光刻胶时,不需要的金属就随着光刻胶的溶解而脱落在溶剂中,而直接形成在衬底上的金属部分则保留下来形成图形。上述过程描写的是哪一种工艺?

A、软烘
B、显影
C、刻蚀
D、剥离

单选题 硅中掺杂砷元素后会成为()

A、N型半导体
B、P型半导体
C、少量掺杂为N型半导体,大量掺杂为P型半导体
D、少量掺杂为P型半导体,大量掺杂为N型半导体

单选题 10级无尘室的要求是:

A、每立方英尺中,直径大于0.5μm的微粒数量少于100个
B、每立方英尺中,直径大于0.5μm的微粒数量少于10个
C、每立方英尺中,直径大于1μm的微粒数量少于100个
D、每立方英尺中,直径大于1μm的微粒数量少于10个

单选题 化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)是()工艺,光刻是()工艺。

A、添加,移除
B、添加,图形化
C、加热,添加
D、图形化,移除