单选题 直拉法制备单晶硅的工艺过程是( )

A、 装料→熔化→缩颈→放肩→等径生长→转肩→收尾
B、 装料→熔化→缩颈→转肩→放肩→等径生长→收尾
C、 装料→熔化→缩颈→放肩→转肩→等径生长→收尾
D、 装料→熔化→放肩→缩颈→转肩→等径生长→收尾
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相关试题

单选题 铸造多晶硅制备中,利用( )作为坩埚的内壁涂层。

A、 Si3N4
B、 C3N4
C、 SiO2
D、 SiC

单选题 铸造多晶硅中的主要缺陷是晶界和( )

A、杂质
B、氧沉淀
C、热应力
D、位错

单选题 为了生产过程提高单晶硅质量,对坩埚中的热对流加以抑制,在直拉单晶炉中加入( )来抑制导电流体的热对流。

A、电场
B、磁场
C、高温
D、杂质

单选题 区熔单晶硅制备方法的优点不包含以下哪个优点( )

A、纯度高,电学性均匀
B、光电效率高
C、工艺技术非常稳定成熟
D、直径小,机械加工性差

单选题 在硅片切割的过程中,以下用不到的原料为( )

A、切割钢线
B、氢氧化钠
C、碳化硅微粉
D、切割液

单选题 晶体硅太阳电池的制备工艺流程是( )

A、清洗制绒→制备PN结→干法刻蚀→丝网印刷→烧结
B、制备PN结→清洗制绒→刻蚀→丝网印刷→减反膜制备和烧结
C、清洗和制绒→刻蚀→制备PN结→减反膜制备→丝网印刷和烧结
D、清洗和制绒→制备PN结→刻蚀→减反膜制备→丝网印刷和烧结

单选题 ( )决定单晶硅/多晶硅中的掺杂浓度。

A、溶解系数
B、电阻率
C、分凝效应
D、扩散系数

单选题 铸造多晶硅制备中,浇铸法利用 只坩埚,直熔法利用( )只坩埚。

A、1,1
B、1,2
C、2,1
D、2,2