判断题 多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和5%,之后每年衰减率不高于0.7%,项目全生命周期内衰减率不高于20%。
相关试题
判断题 二类、三类缺陷处理时限一般应不超过48小时。
判断题 在无阴影遮挡条件下工作时,在太阳辐照度为500W/m2以上,风速不大于2m/s的条件下,同一光伏组件外表面(电池正上方区域)温度差异应小于20℃。
判断题 太阳辐射量较高、直射分量较大的地区宜选用晶体硅光伏组件或聚光光伏组件。
判断题 低电压穿越是指当电力系统事故或扰动引起光伏发电站并网点电压跌落时,在一定的电压跌落范围和时间间隔内,光伏发电站能够保证不脱网连续运行。
判断题 临时接地体的截面积不应小于190mm2,临时接地体埋深不应小于0.6m。
判断题 四类及以上缺陷必须全部录入系统,严禁“体外循环”。
判断题 太阳辐射量较低、散射分量较大、环境温度较高的地区宜选用薄膜光伏组件。
判断题 光伏发电站运行评价指标应包括但不限于光伏发电站峰值日照时数、等效年利用小时数、站用电率、光伏电站系统效率、度电运行维护费、主要设备可利用率。