单选题 当锗二极管加0.4V正向电压时,该二极管相当于________。

A、 很大的电阻
B、 开路
C、 接通的开关
D、 断开的开关
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单选题 在本征半导体中掺入微量的________可以形成P型半导体。

A、硅元素
B、硼元素
C、磷元素
D、锂元素

单选题 在P型半导体中,多数载流子为空穴,空穴带________。

A、

正电

B、

负电

C、

不带电

D、

无法确定

单选题 当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为____。

A、该管已坏
B、万用表各挡有差异
C、二极管的电阻可变
D、二极管的伏安特性是非线性

单选题 用万用表测量二极管的正反向电阻时,发现测得的阻值都很大,则该二极管________。

A、正常
B、内部开路
C、内部短路
D、已击穿

单选题 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电池正向连接,该二极管________。

A、被击穿
B、电流为零
C、正常工作
D、电流过大使管子烧坏

单选题 当环境温度升高时,二极管的反向电流将________。

A、增大
B、减小
C、不变
D、无法确定

单选题 下面列出的几条曲线中,哪条表示的二极管的伏安特性曲线________。

A、
B、
C、
D、

单选题 本征半导体温度升高后,________ 。

A、自由电子数量增多,空穴数量基本不变
B、空穴数量增多,自由电子数量基本不变
C、自由电子和空穴数量都增多,且数量相同
D、自由电子和空穴数量都不变