单选题： create_bound { bound1 } -mode f - 考试宝

单选题单选题： create_bound { bound1 } -mode fixed -width 11 -height 7-origin { 90 130 } create_bound { bound2 } -mode fixed -width 3 -height 4-origin { 22 160 } add_cells_to_bound -bound { bound1 } -cells { crc_inst } 这个是把crc_inst模块约束到位置bound1还是bound2区域里？

A、 bound1

B、 bound2

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单选题单选题：用户操作flash时，用户下发的功能编码是否跟flash本身的命令编码一致？

A、一致

B、不一致

单选题单选题：下面说法正确的是（）

A、gen3*4的吞吐量计算为(8GT/s*4)/8*128/130=3.938GB/s；

B、gen3*4的吞吐量计算为(8GT/s*4)*128/130=31.5GB/s；

C、gen3*4的吞吐量计算为8GT/s/8*128/130=0.98GB/s；

D、gen3*4的吞吐量计算为(8GT/s*4)/8*8/10=3.2GB/s

多选题多选题：如下说法正确的是（）

A、APUG003的新方案，相对于老方案，最大的变化点是busy信号的优化

B、APUG003老方案中，busy只表示命令成功下发，没有包含写和擦除等待时间

C、APUG003老方案中，用户看到busy变低后就可以下发下一条指令

D、EF2和EF3器件操作UFM时，注意修改工程中的persist_bit为0，不然读写不成功。

多选题多选题：如下说法正确的是（）

A、写命令下发前需要先下发擦除操作

B、擦除执行完后，数据会变成全FF

C、flash的状态寄存器状态可读，写和擦除操作后，状态寄存器的busy位会变成1

D、数据是否写成功，可以通过下载器读出来进行验证

单选题单选题：用户操作flash时，推荐哪种擦除方式？

A、片擦除

B、块擦除

C、扇区擦除

多选题多选题： Flash的哪些指令在执行完后需要等待固定的时间？

A、读数据

B、写操作

C、擦除操作

D、读状态寄存器

单选题单选题： C2H的利用率测试往寄存器要写一次的命令是（）

A、\anlogic_pcie_test_app_win.exe -d user -a 0 -w 1

B、.\anlogic_pcie_test_app_win.exe -d user -a 0 -w 2

C、.\anlogic_pcie_test_app_win.exe -d user -a 1 -w 1

D、\anlogic_pcie_test_app_win.exe -d user -a 1 -w 2

多选题多选题：PLL 有那些方法可以降低输出抖动：

A、切换到 no compensation 模式

B、环路带宽设置为low

C、降低PLL的级联级数