半导体物理学 - 答案_在线真题试卷与模拟练习_半导体物理学 - 答案_考试宝

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深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？解：深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。杂质补偿的意义何在？举例说明杂质补偿作用。当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。计算题锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数=17，电子的有效质量（含图） =0.015 m0, m0为电子的惯性质量，求 = 1 \* GB3 ①施主杂质的电离能， = 2 \* GB3 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。（含图）（含图）半导体中载流子的统计分布材料的禁带宽度越小，则同一温度下本征载流子的浓度（），进入本征导电的温度（）越高，越低越高，越高越低，越低温度T升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率（），占据能量大于费米能级的量子态的概率下降，增大增大，下降下降，下降增大，增大自由电子的波函数和晶体中电子波函数的区别是没有可比性波矢k含义不同没有区别简并半导体是指服从费米分布服从玻尔兹曼分布有效质量不止一种通过霍耳系数的测量，可以确定半导体的_______。A 载流子浓度禁带宽度功函数费米能级或费米能量，与哪些因素有关ABC 半导体材料的导电类型杂质的含量能量零点的选取状态密度就是单位能量间隔内的量子态数，式中的Mn*称为状态密度有效质量 T 本征半导体的费米能级一定位于禁带中线杂质充分电离是指所有的杂质100%都离化的情形如果杂质完全电离本征激发又不能忽略，那么这个半导体一定是处在“高温本征激发区” 巴丁模型是指半导体表面态密度足够低，平衡时半导体费米能级被锁定在EF^s 简并半导体简答题对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFn>EFi。设 Nn 为 n 型半导体的电子浓度， Ni 为本征半导体的电子浓度。显然 Nn> Ni，即 Nn=exp（(E Ni=exp（(E 则 EFn > EFi 计算题计算能量在E=Ec到（含图）之间单位体积中的量子态数。（含图）

浅能级杂质电离后有何特点？

施主电离前后有何特征？以As掺入Ge中为例说明，并用能带图表征出n 型半导体

若两块Si 样品中的电子浓度分别为2.25× 106cm-3 和 6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为 2.25× 1016cm-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？

含受主浓度为 8.0× 106cm-3和施主浓度为 7.25×1017cm-3的 Si 材料，试求温度分别为 300K 和 400K 时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。

试分别计算本征Si 在 77K、300K 和 500K 下的载流子浓度。

Si 样品中的施主浓度为4.5× 1016cm-3，试计算 300K 时的电子浓度和空穴浓度各为多少？

某掺施主杂质的非简并Si 样品，试求 EF=（EC+ED）/2 时施主的浓度。

影响迁移率的主要因素有哪些？

漂移运动和扩散运动有什么不同？

漂移运动与扩散运动之间有什么联系？非简并半导体的迁移率与扩散系数之间有什么联系？

平均自由程与扩散长度有何不同？平均自由时间与非平衡载流子的寿命又有何不同？

间接复合效应与陷阱效应有何异同？

均匀照射在6cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。

假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×1016cm-3，试计算空穴的扩散电流密度。

哪些因数影响了半导体的功函数？

影响Schottky 势垒高度的因数有哪些？

形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。

镜像力和隧道效应对接触势垒的影响怎样的？

施主浓度为 7.0×1016cm-3 的 n 型 Si 与 Al 形成金属与半导体接触， Al 的功函数为 4.20eV， Si 的电子亲和能为 4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。

某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.5×1016cm-3，势垒高度为0.64eV，加上 4V 的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？

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